RU 2091909 C1, 27.09.1997. SU 1285545 A1, 23.01.1987. SU 1104607 A, 23.07.1984. SU 744790 A, 10.07.1980. RU 2246779 C1, 20.02.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Гук Елена Григорьевна (RU) Подласкин Борис Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для измерения положения одиночного светового пятна в устройствах, предназначенных для определения координат различных объектов, контроля смещения объектов в пространстве, измерения их размеров и т.п. Координатно-чувствительный датчик мультискан представляет собой кремниевую с диэлектрической изоляцией структуру, состоящую из общей кремниевой подложки, на которой расположены имеющие линию раздела изолированные друг от друга и от подложки первая и вторая базовые фоточувствительные n-области. Они выполнены из монокристаллического кремния n-типа глубиной Q=15 мкм, длиной l=20 мм и шириной F=(430÷510) мкм каждая. Вдоль линии их раздела и симметрично относительно нее последовательно расположен набор ячеек с расстоянием между ними n=30 мкм. Ячейка состоит из четырех пар встречно включенных дискретных р+n диодов диаметром d=10 мкм, расположенных с шагом h=30 мкм вдоль линии раздела. Диоды разных пар расположены на разных расстояниях от линии раздела, связанных с диффузионной длиной неосновных носителей заряда в базовой фоточувствительной n-области. Симметричные диоды в первой и второй базовых фоточувствительных n-областях соединены между собой перемычками, расположенными над линией раздела, имеющими ширину 1.5d и разную длину. На расстоянии F от линии раздела симметрично относительно нее расположены первый и второй резистивные n+-слои шириной 100 мкм каждый и длиной, превышающей суммарную длину всего ряда дискретных диодов. Диоды, расположенные в первой базовой области, соединяются с первым резистивным n+-слоем, а диоды, расположенные во второй базовой области, соединяются со вторым резистивным n+-слоем. Изобретение обеспечивает высокое быстродействие. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента