US 5446307 A, 29.08.1995. US 7221157 B2, 22.05.2007. RU 2300824 C1, 10.06.2007. RU 2284612 C2, 27.09.2006. RU 2239916 C1, 10.11.2004. RU 2204144 C2, 10.05.2003. SU 1797416 A1, 20.10.1995.
Имя заявителя:
Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Изобретатели:
Тихонов Роберт Дмитриевич (RU) Козлов Антон Викторович (RU) Поломошнов Сергей Александрович (RU) Красюков Антон Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения: интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора на монокристаллической подложке кремния состоит из двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора и сопротивлений нагрузки коллекторов, смещения базы и кармана. В токомагнитном датчике размеры электродов эмиттера и коллекторов имеют отношение к расстоянию между ними более трех единиц, коллекторы соединяются через сопротивления с контактной площадкой одного полюса источника напряжения питания и с контактами к базовой области, ток смещения задается через контакты к карману через сопротивление, подключенное к той же контактной площадке одного полюса источника напряжения питания, контакты к подложке и эмиттер соединены электрически с подачей потенциала от контактной площадки второго полюса источника напряжения питания, сопротивления выполнены в составе датчика. Техническим результатом изобретения является уменьшение начального разбаланса - разницы напряжения на коллекторах двухколлекторного латерального магнитотранзистора при отсутствии магнитного поля - и уменьшение погрешности измерений, возникающей из-за невоспроизводимого начального разбаланса напряжения коллекторов биполярного двухколлекторного магниточувствительного транзистора. 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента