US 6392263 B1, 21.05.2002. US 2003107107 A1, 12.06.2003. US 2003106986 A1, 12.06.2003. RU 2262775 C2, 20.10.2005.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Изобретатели:
Пугачёв Андрей Алексеевич (RU) Стемпковский Александр Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для создания фоточувствительных цифровых и аналоговых устройств. КМОП-фотоприемный элемент согласно изобретению содержит фотодиод и транзисторы схемы управления фотодиодом. Фотодиод в соответствии с изобретением формируется из двух слоев: заглубленного низколегированного слоя n-типа (выращивается на исходной подложке р-типа проводимости, на поверхности данного n-эпитаксиального слоя формируется р-карман), служащего объемным телом фотодиода, и поверхностного n+-слоя, смыкающегося с заглубленным слоем фотодиода на некоторой глубине. При этом подложка и р-карман подсоединены к шине земли, n-область фотодиода - к шине положительного потенциала питания, n+-область фотодиода является истоком управляющего транзистора восстановления схемы фотоприемного элемента. При соответствующем выборе уровней легирования диффузионных слоев и управляющих напряжений n-слой фотодиода в режиме накопления оказывается полностью обедненным, что обеспечивает перенос фотогенерированных носителей заряда в n+-слой фотодиода с помощью направленных электрических полей, охватывающих значительную часть объема фотоприемного элемента. Изобретение обеспечивает повышение фоточувствительности КМОП-фотоприемного элемента и уменьшение шумов. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента