US 6586789 B1, 01.07.2003. US 6259085 B1, 10.07.2001. US 5712498 A, 27.01.1998. US 5786609 A, 28.07.1998. EP 1081766 A1, 07.03.2001. RU 2065228 C1, 10.08.1996.
Имя заявителя:
АУРОЛА Артто (FI)
Изобретатели:
АУРОЛА Артто (FI)
Патентообладатели:
АУРОЛА Артто (FI)
Приоритетные данные:
20.08.2004 FI PCT/FI2004/000492 17.11.2004 FI 20041479
Реферат
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых детекторов излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый детектор излучения содержит проводящий тыльный слой с проводимостью первого типа и объемный слой. С противоположной стороны от проводящего тыльного слоя располагается слой модифицированного внутреннего затвора с проводимостью второго типа, барьерный слой с проводимостью первого типа и области легирования элементов изображения (пикселей) с проводимостью второго типа. Области легирования пикселей выполнены с возможностью подключения к напряжению пикселей, которое определяется как их потенциал, измеренный относительно потенциала проводящего тыльного слоя, и которое создает потенциальный минимум в материале детектора для захвата сигнальных зарядов. Изобретение позволяет создать полупроводниковый детектор излучения, который отличается большой точностью при осуществлении измерений и менее подвержен влиянию токов утечки. 2 н. и 25 з.п. ф-лы, 56 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента