RU 2072591 C1, 27.01.1997. RU 2106041 C1, 27.02.1997. WO 03017282 A1, 27.02.2003. GR 2432245 A, 16.05.2007.
Имя заявителя:
Физико-технологический институт Российской академии наук (статус государственного учреждения) (RU)
Изобретатели:
Орликовский Александр Александрович (RU) Бердников Аркадий Евгеньевич (RU) Мироненко Александр Александрович (RU) Попов Александр Афанасьевич (RU) Черномордик Владимир Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Физико-технологический институт Российской академии наук (статус государственного учреждения) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента