RU 2310929 C1, 20.11.2007. RU 2003109077 A, 27.09.2004. RU 2003103143 A, 10.11.2004. SU 1135354 A1, 27.05.1997. US 2006/0237771 A1, 26.10.2006. US 6849505 B2, 01.02.2005. US 6627494 B2, 30.09.2003. US 7132328 B2, 07.11.2006.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Новиков Юрий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке между истоком и стоком выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя (выполненного из SiO2). Запоминающий слой выполнен в виде матрицы проводящих нанокластеров размером от 1,0 до 50 нм. В результате обеспечивается: уменьшение влияния проводящих пор в туннельном оксиде на хранение заряда, увеличение окна памяти (до 7 В), возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени (до 10-7 с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента