|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2302058 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/115 | | Аналоги изобретения: | RU 2004100899 A, 20.06.2005. RU 2072591 C1, 27.01.1997. RU 2108629 C1, 10.04.1998. Валиев К.А. и др. Память на основе нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой. Микроэлектроника. 1997, т. 26, №1, с.3-11. SU 1108915 A1, 27.05.1997. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) | | Изобретатели: | Мордвинцев Виктор Матвеевич (RU)
Кудрявцев Сергей Евгеньевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка включает полупроводниковую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других шин первого уровня, перекрещивающуюся с ней металлическую шину второго уровня, расположенный под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэ
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента