

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ТРАНЗИСТОРНО - ЗАПОМИНАЮЩИЕ СТРУКТУРЫ И МАССИВ ПОДОБНЫХ СТРУКТУР С МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИЕЙ

Номер публикации патента: 2287205

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2004120776/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	H01L027/105
Аналоги изобретения:	ЕР 902465 А1, 17.03.1999. US 6072716 А, 06.06.2000. US 4952031 А, 28.08.1990. RU 2054753 C1, 20.02.1996.

Имя заявителя:	ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO)
Изобретатели:	ГУДЕСЕН Ханс Гуде (BE)
Патентообладатели:	ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO)

Реферат

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. Сущность изобретения: интегрированные транзисторно/запоминающие структуры содержат один или более слоев полупроводникового материала, два или более электродных слоев, а также запоминающий материал, контактирующий с электродами, находящимися в указанных электродных слоях.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"