На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С РАЗМЕРНЫМ КВАНТОВАНИЕМ ЭНЕРГИИ |  |
Номер публикации патента: 2257642 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L027/105 | Аналоги изобретения: | ПОЖЕЛА Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Монография. АНЛитССР. Институт физики полупроводников. - Вильнюс: Мокслас, 1989, с.264, рис.5.19. ШУР М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991, с.572, рис.10.16.1. RU 2183885 C1, 20.06.2002. ЕР 0940855 А2, 08.09.1999. JP 3004540 А, 10.01.1991. |
Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) | Изобретатели: | Коноплев Б.Г. (RU) Рындин Е.А. (RU) | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Таганрогский государственный радиотехнический университет" (ТРТУ) (RU) |
Реферат |  |
Использование: изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение быстродействия транзистора за счет обеспечения высокой подвижности электронов в канале при высокой их концентрации, снижения скорости деградации характеристик транзистора, обеспечения пентодных выходных характеристик короткоканального транзистора, позволяющих пр
|