Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


КМОП - ФОТОПРИЕМНАЯ ЯЧЕЙКА С ОБРАБОТКОЙ СИГНАЛОВ

Номер публикации патента: 2252466

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2003127173/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/14    
Аналоги изобретения: СТЕМПКОВСКИЙ А.Л., ШИЛИН В.А., "КМОП-фотодиодные СБИС перспективная элементная база однокристальных систем приема и обработки информации", Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 2003, №2, стр.14-20. RU 2 173 915 С1, 20.09.2001. RU 2 182 385 C2, 07.02.2002. ЕР 0 820 104 А2, 21.01.1998. 

Имя заявителя: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU),Серова Евгения Николаевна (RU),Стемпковский Александр Леонидович (RU),Шилин Виктор Абрамович (RU) 
Изобретатели: Серова Е.Н. (RU)
Стемпковский А.Л. (RU)
Шилин В.А. (RU) 
Патентообладатели: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Серова Евгения Николаевна (RU)
Стемпковский Александр Леонидович (RU)
Шилин Виктор Абрамович (RU) 

Реферат


Использование: для создания фоточувствительных цифровых и аналоговых устройств. Технический результат изобретения: реализация в КМОП-фотоприемной ячейке функции выделения контуров на изображении. Сущность: в КМОП-фотоприемную ячейку с обработкой сигнала, состоящую из четырех элементов, каждый из которых содержит фотодиод и восстанавливающий МОП-транзистор, и вход истокового повторителя, дополнительно включены: суммирующая n+-область, дополнительный транзистор восстановления и две схемы с многозат


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"