|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТРУКТУРА КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС |  |
Номер публикации патента: 2230393 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/06 | | Аналоги изобретения: | RU 2149482 C1, 20.05.2000. RU 2149481 C1, 20.05.2000. US 2001/0024863 A1, 27.09.2001. US 6281095 B1, 28.08.2001. US 5770511 A, 23.06.1998. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Горнев Е.С. (RU)
Сулимин А.Д. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Дракин К.А. (RU)
Евдокимов В.Л. (RU)
Громов Д.Г. (RU)
Мочалов А.И. (RU)
Климовицкий А.Г. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: при производстве СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: структура кремний-на-изоляторе для СБИС содержит области кремния, изолированные первым слоем диэлектрика друг от друга и вторым слоем диэлектрика от кремниевой подложки, для размещения в них полевых и биполярных транзисторов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента