|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СОСТАВЕ БИКМОП ИС |  |
Номер публикации патента: 2210838 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/06 | | Аналоги изобретения: | WO 95/05679 A1, 23.02.1995. RU 2141149 C1, 10.11.1999. RU 2106719 C1, 10.03.1998. RU 2106039 C1, 27.02.1998. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Горнев Е.С.
Лукасевич М.И.
Морозов В.Ф.
Приходько П.С. | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, а именно БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Сущность изобретения: в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями базы и контакта к коллектору, высоколегированную
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента