На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ ПОГЛОЩЕНИЯ ДО 7 МКМ |  |
Номер публикации патента: 2175794 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L027/14 | Аналоги изобретения: | RU 2065228 C1, 10.08.1996. RU 2080691 C1, 27.05.1997. Зарубежная электронная техника, 1986, № 5 (300), с.2. JP 58107673, 27.06.1983. |
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | Изобретатели: | Двуреченский А.В. Ковчавцев А.П. Курышев Г.Л. Рязанцев И.А. | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат |  |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к производству фотоприемных модулей, и может быть использовано в приборах ночного видения, тепловизорах, газоанализаторах. Техническим результатом изобретения является достижение межэлементной развязки с коэффициентом развязки более 95%. Сущность: устройство содержит подложку из высокоомного кремния р-типа проводимости, со стороны засветки - электрод и контактный слой р++, с другой стороны - мезаструктуры со слоем фотоактивного поглощения р+, контактный слой р++ и алюминиевый электрод, причем со стороны засветки на контактный слой р++ в качестве электрода напылен тонкий слой прозрачного окисла - окиси индия и олова толщиной 0,2-0,5 мкм, концентрация примеси в контактных слоях р++ составляет Np~1•1019 см-3, между контактным слоем р++ со стороны засветки и подложкой р расположен легированный слой р+ с Np~1017-1018 см-3 толщиной 3-5 мкм, образующий с подложкой р и контактным слоем р++ потенциальный барьер (р-р+-р++), позволяющий блокировать темновую проводимость, с другой стороны на подложке выполненные мезаструктуры и тонкий слой фотоактивного поглощения р+ с концентрацией легирующей примеси Np~(5-7)•1019 см-3 имеют такую глубину и толщину соответственно, что слой фотоактивного поглощения р+ полностью изолирован мезаструктурой и его концентрация легирующей примеси спадает до значения концентрации примеси в подложке на глубине, меньшей, чем глубина мезаструктуры. Алюминиевый электрод нанесен на всю поверхность мезаструктуры. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|