На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПЛАНАРНАЯ СОВМЕЩЕННАЯ НЕЙРОСТРУКТУРА ДЛЯ УБИС КНИ

Номер публикации патента: 2175460

Вид документа:  C2  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  99123983/28		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: при конструировании устройств и структур интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектроники, в частности интегральных нейроподобных структур нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Сущность изобретения: предлагается планарная совмещенная нейроструктура для УБИС КНИ, содержащая в основании центральную сильнолегированную p+-область, поверх которой расположен p-слой с проводимостью, близкой к собственной проводимости полупроводника, и отделенные этим слоем приповерхностную р+-область и n+-области общего центрального комбинированного стока с соответствующим электродом, а также р+-области первого и второго истока с соответствующими электродами, и содержащая также первый и второй затворы, нанесенные на подзатворные слои диэлектрика, сформированные на соответствующих разделяющих низколегированных р-областях между р+-областями истока и n+-областями стока; центральная р+-область в основании структуры окружена с двух сторон смежными сильнолегированными n+-областями и размещена на нижнем диэлектрическом слое, а первый и второй затворы выполнены в виде плавающих затворов, на каждый из которых нанесен второй тонкий слой диэлектрика, на котором сформированы изолированные друг от друга и поглощающего центрального электрода стока n входных контактов с соответствующими площадями и емкостями входных контактов относительно плавающего затвора, определяющими весовые значения и формирующими функцию взвешенного суммирования путем сложения зарядов на плавающем затворе нейроструктуры и соответствующую пороговую функцию, причем соответствующие входные контакты попарно соединены друг с другом. Кроме того, в зависимости от напряжения на плавающих затворах при реализации функции взвешенного суммирования путем сложения зарядов на плавающих затворах, когда веса будут определяться емкостями соответствующих входных контактов относительно этого затвора, в совмещенных слаболегированных каналах могут перемещаться от основания структуры к его комбинированному центральному стоку либо основные, либо неосновные носители, передающие информацию на общий для нейроструктуры выход-контакт истока. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей структуры, кардинальное уменьшение межэлементных линий связи, увеличение плотности упаковки и быстродействия. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. .

Вернуться к списку