|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БИКМОП - ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2106719 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/06 H01L021/8248 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент 5117274, МКИ H 01L 27/02, 1992. 2. EP, заявка 0325342, А2, МКИ H 01L 21/82, 1989. 3. DE, патент 4139490, А1, МКИ H 01L 27/06, 1993. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Красников Г.Я.
Казуров Б.И.
Лукасевич М.И. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии формирования биополярных и полевых транзисторов. В предлагаемой конструкции первый вертикальный биполярный транзистор включает эммитерный электрод из второго слоя поликремния над эммитерной областью, базовые электроды к двум областям пассвной базы и коллекторный электрод из тертьего слоя поликремния, самосовмещенные металлические силицидные слои к базовым, эмиттерному и коллекторному электродам, металлические электроды, выполненные к базовым, к эмиттерному и коллекторному электродам, при этом второй биполярный транзистор имеет такую же структуру, как и первый вертикальный биполярный транзистор, с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого вертикального биполярного транзистора, первый МОП-транзистор содержит истоковую и стоковую области, разделенные канальной областью, затвор из первого и второго слоя поликремния и металлического силицилового слоя, нанесенные на подзатворный диэлектрик, электроды из третьего слоя поликремния к области стока и истока, введенные на полевой окисел и покрытые металлическим силицидным слоем, металлические электроды, контактирующие к областям истока и стока через электроды из третьего слоя поликремния, выведенные на полевой окисел, второй МОП-транзистор имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого МОП-транзистора. 2 с.п. ф-лы, 12 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента