|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОП - ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ, ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА ЕЕ ОСНОВЕ |  |
Номер публикации патента: 2105383 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/8246 H01L027/115 G11C011/40 | | Аналоги изобретения: | 1. Голтвянский Ю.В. и др. Запись информации в МНОП-элемент памяти инжекцией горячих электронов. Электронная техника. Сер.3: Микроэлектроника. - 1985, вып.1 (113), с.30 - 35. 2. Chan T.Y. et al. A true single-transistor oxide-nitride-oxide EEPROM device. IEEE Electron Device Letters. v. EDL-8, 1987, N 3, pp.93 - 95. 3. Yatsuda Y. et al. Hi-MNOS II technology for a 64-k bit byteerasable 5-v only EEPROM. IEEE Journal of Solid - Stale Circuits, 1985, v. Sc-20, N 1, pp. 144 - 151. 4. US, патент, 5120672, кл. H 01 L 21/76, 21/265, 1992. 5. Mizutani Y. et al. A new EEPROM cell with a side - wall floating gate high - density and high - performance device. International Electron Device Meeting. 1985, Techn.Dig, pp. 635 - 638. 6. US, патент, 4882707, кл.C 11 C 11/34, 1989. |
| Имя заявителя: | Марков Виктор Анатольевич[UA] | | Изобретатели: | Марков Виктор Анатольевич[UA]
Костюк Виталий Дмитриевич[UA] | | Патентообладатели: | Марков Виктор Анатольевич[UA]
Костюк Виталий Дмитриевич[UA |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда. Сущность изобретения: в качестве ячейки памяти применяют МДП-транзистор, содержащий боковой спейсерный затвор. Диэлектриком под боковым затвором служит структура SiO2-Si3N4-SiO2. Благодаря малой ширине спейсера область инжекции горячих дырок в подзатворный диэлектрик перекрывает область захвата отрицательного информационного заряда. За счет этого увеличивается эффективность стирания и циклоустойчивость ячеек памяти. На основе предлагаемой МОНОП-ячейки памяти разработан накопитель с возможностью индивидуальной выборки во всех режимах работы, защищенный от изменения логического состояния невыбранных ячеек памяти при записи и стирании информации. 3 с. и 9 з.п. ф-лы, 1 табл., 11 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента