|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА |  |
Номер публикации патента: 2078390 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/14 | | Аналоги изобретения: | 1. Баринов В.В. и др. Интегральные схемы с инжекторным питанием. - Зарубежная электронная техника, N 19, 1973, с. 8, фиг. 4. 2. Там же фиг. 5. 3. Заявка ФРГ N 3035051, кл. H 01 L 27/08, 1982. |
| Имя заявителя: | Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище | | Изобретатели: | Ус Н.А.
Нисков В.Я.
Крюков В.П.
Нахмансон Г.С. | | Патентообладатели: | Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в качестве фотодетекторной матрицы кремниевого типа в акустооптических системах обработки сигналов. Сущность изобретения: интегральная схема содержит высоколегированную подложку n+ типа проводимости, расположенный на подложке эпитаксиальный слой n-типа проводимости с инжекторной областью p-типа проводимости, базовой областью p-типа проводимости, в которой сформировано не менее одной коллекторной области n+-типа проводимости, и экранирующей областью n+-типа проводимости, окружающей одновременно инжекторную и базовую области по периметру, а также защитный слой, шины межсоединений и контактные электроды. Контактные электроды к коллекторным областям выполнены из оптически прозрачного материала первого типа, области между контактными электродами к коллекторным областям над базовой областью заполнены оптически прозрачным материалом второго типа, а контактные электроды соединены с шинами межсоединений за пределами базовой области. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента