|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ СВЧ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2072589 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/18 | | Аналоги изобретения: | 1. Малорацкий Л.Г. Микроминиатюризации элементов и устройств СВЧ. -М.: Советское радио, 1976. 2. Земляков В.Е., Петрищев В.П., Снегирев В.П., Технологические особенности создания структур из пленок Y<SB>1</SB>Ba<SB>2</SB> Cu<SB>3</SB> O<SB>7</SB><SB>-</SB><SB>x</SB>. Электронная техника, сер.1 - Электроника СВЧ, 1991, вып. 5, с.53-54. |
| Имя заявителя: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | | Изобретатели: | Сазонов В.П. | | Патентообладатели: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" |
Реферат | |
Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления пассивных интегральных схем СВЧ из высокотемпературных сверхпроводников проводящие полоски изготавливают отдельно из монокристаллических пластин высокотемпературного сверхпроводника толщиной 20-80 мкм ультразвуковой резкой. Затем полоски располагают на подложке в соответствии с заданной топологией интегральной схемы и закрепляют диэлектрической пластиной.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента