На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК - ПРИЕМНИК НА ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЯХ С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ 0,2 ЭВ |  |
Номер публикации патента: 2065228 |  |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L027/14 | Аналоги изобретения: | 1. Шоль Ж. и др. Приемники инфракрасного излучения.- М.: 1969, с.203 - 223. 2.Аигина Н.Р. и др. Многоэлементные приемники ИК-излучения на диодах с барьером Шоттки. Зарубежная электронная техника.- 1986, N 5(300), с. 20. |
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | Изобретатели: | Рязанцев И.А. Двуреченский А.В. | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат |  |
Использование: производство полупроводниковых фотоприемных модулей, матриц. Сущность изобретения: приемник ИК-излучения на диапазон длин волн 1,5-6 мкм имеет слой монокристаллического высокоомного кремния, на котором выполнены в виде меза-структуры слой фотопоглощения с концентрацией легирующей примеси (7-9)·1017cм-3 и контактный слой толщиной 100-500 с концентрацией легирующей примеси (5-9)·1019см-3. Такой же сильнолегированный тонкий контактный слой сформирован на другой поверхности монокристаллического кремния. На контактных слоях созданы омические слои. 4 ил. 1 табл.
|