На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 2030814 |  |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L027/14 | Аналоги изобретения: | 1. Громов В.С. Методы и аппаратура для определения температуры коллекторного p - n перехода. Обзоры по электронной технике. Вып. 8 (239), Серия: "Полупроводниковые приборы", 1970 г. |
Имя заявителя: | Дуров Владимир Владимирович | Изобретатели: | Дуров Владимир Владимирович Горбунов Юрий Иванович Ильчинский Евгений Степанович Латышонок Александр Никодимович Рудовол Тамара Всеволодовна Шевченко Александр Васильевич Крикоров Вадим Сергеевич | Патентообладатели: | Дуров Владимир Владимирович Горбунов Юрий Иванович Ильчинский Евгений Степанович Латышонок Александр Никодимович Рудовол Тамара Всеволодовна Шевченко Александр Васильевич Крикоров Вадим Сер |
Реферат |  |
Использование: в области дискретной полупроводниковой микроэлектроники, в устройствах измерения, контроля и первичного преобразования температуры любых сред при их хранении, транспортировке, переработке и учете расхода и поступления. Сущность: элемент содержит две высоколегированные области полупроводникового материала первого и второго типа проводимости. Эти области разделены двумя низколегированными областями полупроводникового материала второго и первого типа проводимости. На высоколегированные области нанесены защитные сои диэлектрика. В защитных слоях выполнены окна для омических контактов к высоколегированным областям. Ширина каждой из низколегированных областей в два-три раза превышает максимальные значения диффузных длин неосновных носителей заряда, инжектированных из смежных высоколегированных областей. 1 ил.
|