Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Номер публикации патента: 2030814

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 92001058 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/14    
Аналоги изобретения: 1. Громов В.С. Методы и аппаратура для определения температуры коллекторного p - n перехода. Обзоры по электронной технике. Вып. 8 (239), Серия: "Полупроводниковые приборы", 1970 г. 

Имя заявителя: Дуров Владимир Владимирович 
Изобретатели: Дуров Владимир Владимирович
Горбунов Юрий Иванович
Ильчинский Евгений Степанович
Латышонок Александр Никодимович
Рудовол Тамара Всеволодовна
Шевченко Александр Васильевич
Крикоров Вадим Сергеевич 
Патентообладатели: Дуров Владимир Владимирович
Горбунов Юрий Иванович
Ильчинский Евгений Степанович
Латышонок Александр Никодимович
Рудовол Тамара Всеволодовна
Шевченко Александр Васильевич
Крикоров Вадим Сер 

Реферат


Использование: в области дискретной полупроводниковой микроэлектроники, в устройствах измерения, контроля и первичного преобразования температуры любых сред при их хранении, транспортировке, переработке и учете расхода и поступления. Сущность: элемент содержит две высоколегированные области полупроводникового материала первого и второго типа проводимости. Эти области разделены двумя низколегированными областями полупроводникового материала второго и первого типа проводимости. На высоколегированные области нанесены защитные сои диэлектрика. В защитных слоях выполнены окна для омических контактов к высоколегированным областям. Ширина каждой из низколегированных областей в два-три раза превышает максимальные значения диффузных длин неосновных носителей заряда, инжектированных из смежных высоколегированных областей. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"