|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2029415 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/12 | | Аналоги изобретения: | 1. Маллер Р., Клейник Т. Элементы интегральных схем, М.: Мир, 1989, с.187-191. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Грехов И.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: в криоэлектронике при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор выполнен на подложке из диэлектрического материала. На подложке расположены буферный слой с расположенными на нем проводящим каналом и затвором, выполненным из диэлектрического материала. К затвору выполнен металлический электрод. Канал выполнен из сверхпроводящего материала. Между каналом и затвором может быть расположен второй буферный слой. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента