|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МОП - ТРАНЗИСТОРАХ |  |
Номер публикации патента: 2025829 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L027/118 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4764798, кл. H 01L 29/72, 1988. |
| Имя заявителя: | Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен (NL) | | Изобретатели: | Хендрикус Йозефиус Мария Вендрик[NL]
Андреас Антониус Йоханнес Мария Ван Ден Элсхоут[NL]
Дирк Виллем Харбертс[NL] | | Патентообладатели: | Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен (NL) | | Номер конвенционной заявки: | 8902629 | | Страна приоритета: | NL |
Реферат | |
Применение: относится к микроэлектронике. Сущность: содержит полупроводниковую подложку, в которой сформированы два ряда параллельно расположенных n - канальных МОП - транзисторов, а в кармане n - типа проводимости сформированы два ряда параллельно расположенных p - канальных МОП - транзисторов. Каждая пара рядов включает общие электроды затворов в виде токопроводящих дорожек, расположенных перпендикулярно направлению общих рядов. Дополнительно введены третий ряд n - канальных и p - канальных МОП-транзисторов, расположенных параллельно соответствующей паре рядов транзисторов с n и p - каналами, при этом затворы первого и второго рядов транзисторов каждой пары одновременно являются затворами дополнительно введенных рядов. Ширина каналов транзисторов дополнительно введенных рядов по крайней мере равна утроенной ширине каналов первого и второго рядов транзисторов каждой пары. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента