|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАТРИЦА КНИ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2012948 |  |
| Имя заявителя: | Львовский политехнический институт | | Изобретатели: | Дружинин А.А.
Кеньо Г.В.
Когут И.Т.
Костур В.Г.
Яворский П.В. | | Патентообладатели: | Львовский политехнический институт |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для создания матричных МДП-транзисторов и интегральных схем на их основе, включая многослойные, со структурами кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: матричный КНИ МДП-транзистор состоит из монокристаллической кремниевой подложки с последовательно сформированными на ней слоями изолирующего окисла, рекристаллизованного поликремния, содержащего чередующиеся в шахматном порядке области стока и истока, слоями подзатворного диэлектрика и затворного поликрем
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента