На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ПОДАВЛЕНИЕМ ПОСТОЯННОЙ И НИЗКОЧАСТОТНОЙ КОМПОНЕНТ ФОТОСИГНАЛА |  |
Номер публикации патента: 1739808 |  |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L027/148 | Аналоги изобретения: | Longo I.T. et all. IEEE J.of Solidstate Circuits, VSS - 13, N 1, 1978, p.139. |
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО АН СССР | Изобретатели: | Крымский А.И. Кляус Х.И. Ли И.И. Черепов Е |
Реферат |  |
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может использоваться в устройствах обработки сигнала с многоэлементных ФПУ. Цель изобретения - упрощение устройства и снижение рассеиваемой мощности в ФПУ. Устройство включает фотоприемник, первый, второй, третий МДП транзисторы, емкость накопления, причем исток первого МДП транзистора соединен с фотоприемником, а сток - с истоком второго МДП транзистора, одна обкладка емкости накопления соединена с шиной нулевого потенциала, другая - со стоком второго МДП транзистора и истоком третьего МДП транзистора, а со стока третьего МДП транзистора, а со стока третьего МДП транзистора снимается выходной сигнал. Кроме того, в устройство введены четвертый МДП - транзистор, дополнительная емкость, опорный источник тока, пятый МДП - транзистор, имеющий тип проводимости, противоположный типу проводимости остальных МДП транзисторов, причем четвертый и второй МДП транзисторы имеют общие истоки и располагаются на полупроводниковой подложке рядом, образуя согласованную по пороговым напряжениям пару транзисторов, сток четвертого МДП транзистора соединен с первой обкладкой дополнительной емкости, исток, затвор и сток комплементарного пятого МДП транзистора соединены соответственно с источником напряжения, стоком четвертого МДП транзистора и истоком второго МДП транзистора, вторая обкладка дополнительной емкости соединена с истоком пятого МДП транзистора, а опорный источник тока включен параллельно дополнительной емкости. 4 ил.
|