На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (ЕГО ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 1153769

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  3687767		Получить полное описание патента

Реферат

1. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, между активным слоем и подложкой введены дополнительный изолирующий слой и два дополнительных полупроводниковых слоя из твердого раствора соответственно Ga_1-yAl_yAs и Ga_1-zAl_zAs, где z < y противоположных типов проводимости, причем дополнительный изолирующий слой примыкает к активному слою, а дополнительный полупроводниковый слой, прилегающий к подложке, имеет с нею один тип проводимости, подложка выполнена из сильнолегированного материала, а в активном и дополнительном изолирующем слоях сформирована канавка, дно которой расположено на дополнительном полупроводниковом слое, примыкающем к дополнительному изолирующему слою, на дне канавки сформирован омический контакт, площадь которого меньше площади дна канавки, который гальванически соединен с контактом стока, при этом оба изолирующих слоя с захватом заряда выполнены из Ga_1-xAl_xAs · (x = 0,1 ^oC 0,6, x < z) и содержат кислород в количестве 10¹⁷ - 5 · 10¹⁹ см^-3 и германий в количестве 5 · 10¹⁵ - 5 · 10¹⁷ см^-3.

2. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, изолирующий слой с захватом заряда выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga_1-xAl_xAs, где x = 0,1 ^oC 0,6 содержащего кислород в количестве 10¹⁷ - 10¹⁹ см^-3 и германий в количестве 5 · 10¹⁵ - 5 · 10¹⁷ см^-3, расположен под активным слоем, при этом дополнительно введены три полупроводниковых слоя, выполненных из твердых растворов Ga_1-yAl_yAs, Ga_1-zAl_zAs, Ga_1-jAl_jAs, где j < z 1_-zAl_jAs примыкает к подложке и имеет одинаковый с нею тип проводимости, а слой из твердого раствора Ga_1-jAl_jAs примыкает к изолирующему слою и со слоем твердого раствора Ga_1-yAl_yAs имеет тип проводимости, противоположный типу проводимости подложки, в структуре выполнена канавка со стороны контакта стока до слоя из твердого раствора Ga_1-yAl_yAs, на дне которой сформирован омический контакт, площадь которого меньше площади дна канавки, который гальванически соединен с контактом стока.

Вернуться к списку