|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 1153768 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/11 | | Аналоги изобретения: | 1. Петручук И.И., Сурин Ю.В. "Эффект памяти в системе нитрид кремния - арсенид галлия". - Электронная техника, сер. "Микроэлектроника", 1971, вып.3, с.88. 2. Bayraktaroyh al all "GaAsMAOSFET Menory Transistor", Ellectronics Letters, 1978, rol 14, N 1, pp.19-20. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Ильичев Э.А.
Маслобоев Ю.П.
Полторацкий Э.А.
Родионов А.В.
Слепнев |
Реферат | |
1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs·(0,1 ≲ X ≲ 0,6), содержащего кислород в количестве 1017 - 5 · 1019 см-3 и германий в количестве 5 · 1015 - 5 · 1017 см-3, при этом концентрация легирующей примеси в активном слое находится в диапазоне 1015 - 1017 см-3, а подложка выполнена из сильнолегированного арсенида галлия. 2. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что, с целью увеличения информационной емкости между подложкой и изолирующим слоем, под последним введены по крайней мере один дополнительный активный и дополнительный изолирующий слой, а на противоположных концах каждого дополнительного активного слоя сформированы омические контакты, которые изолированы от активных слоев.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента