US 7109068 В2, 19.09.2006. US 6593644 В2, 15.07.2003. RU 2248538 С2, 20.03.2005. RU 2133523 C1, 20.07.1999. US 6221769 B1, 24.04.2001.
Имя заявителя:
ИНТЕЛ КОРПОРЕЙШН (US)
Изобретатели:
РИД Пол (US) БЛЭК Брайан (US)
Патентообладатели:
ИНТЕЛ КОРПОРЕЙШН (US)
Приоритетные данные:
20.12.2006 US 11/613,774
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к формированию пакета интегральных микросхем. Сущность изобретения: устройство интегральной схемы содержит первый кристалл с множеством продолжающихся через подложку переходных отверстий (ПОК), каждое из которых включает электропроводный материал, причем первый кристалл содержит площадь поверхности; и множество вторых кристаллов, каждый из которых содержит множество контактных точек, соединенных с электропроводным материалом ПОК первого кристалла, причем множество вторых кристаллов расположены на первом кристалле так, что они совместно составляют площадь поверхности, приблизительно равную или наиболее соответствующую площади поверхности первого кристалла. Предложен способ изготовления устройства интегральной схемы с множеством вторых кристаллов, размещаемых на первом кристалле. Изобретение обеспечивает укладку кристаллов микросхемы друг на друга для повышения рабочих характеристик без увеличения площади поверхности. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента