Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ БЛОК

Номер публикации патента: 2109372

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95118663 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L025/03    
Аналоги изобретения: 1. RU, патент, 1737568, кл. H 01 L 25/00, 1992. 2. SU, авторское свидетельство, 695398, кл. H 01 L 25/03, 1994. 

Имя заявителя: Деревенко Константин Андреевич 
Изобретатели: Деревенко К.А.
Винник Л.В.
Киксман Г.Е.
Фридберг А.М. 
Патентообладатели: Деревенко Константин Андреевич
Винник Леонид Владимирович
Киксман Григорий Ефремович
Фридберг Аркадий Моисеевич
Акционерное общество закрытого типа "Завод по ремонту электроподвижного сост 

Реферат


Использование: полупроводниковая преобразовательная техника. Сущность изобретения: в полупроводниковом преобразовательном блоке на общем охладителе, как на основании корпуса, закреплены силовые полупроводниковые модули с электроизолированными основаниями, блок автоматического управления с электроизолированным основанием, токоведущие шины вместе с клеммами для подключения входных и выходных цепей полупроводникового преобразовательного блока вмонтированы в панель, которая является крышкой блока, причем отношение высоты Hδ измеряемой от плоскости нижнего выступа крышки до нижней плоскости токоведущей шины, которой последняя соприкасается с верхней плоскостью токоподвода силового полупроводникового модуля, к высоте Нс, измеряемой между плоскостью силового полупроводникового модуля, которой он соприкасается с охладителем, и верхней плоскостью токоподвода силового полупроводникового модуля, не менее 1,05, концы клемм закрыты отдельной крышкой из электроизоляционного материала, полость между крышкой и основанием полупроводникового преобразовательного блока заполнена компаундом, например, кремнийорганическим. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"