|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ |  |
Номер публикации патента: 2091907 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L025/03 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка ЕПВ N 0015053, кл. H 01 L 23/00, 1980. 2. Патент США N 4313128, кл. H 01 L 23/00, 1982. 3. Заявка Японии N 63-61786, кл. H 01 L 29/74, 1985. 4. Патент Великобритании N 1185667, кл. H 01 L 23/00, 1970. 5. Заявка ФРГ N 2951916, кл. H 01 L 31/10. 6. Патент США N 3654527, кл. H 01 L 3/00, 1972. |
| Имя заявителя: | Евсеев Юрий Алексеевич (RU) | | Изобретатели: | Евсеев Юрий Алексеевич[RU]
Рачинский Любомир Ярославович[UA]
Тетерьвова Наталья Алексеевна[UA]
Селенинов Казимир Леович[EE]
Дерменжи Евгений Пантелеевич[RU]
Друянова Ева Ионовна[UA]
Насекан Ольга Семеновна[UA]
Рыбак Роман Иосифович[UA] | | Патентообладатели: | Евсеев Юрий Алексеевич (RU) |
Реферат | |
Использование: в области электротехники и может быть использовано при выпрямлении переменного тока. Сущность изобретения: каждый полупроводниковый выпрямительный элемент по боковой поверхности окружен слоем полупроводникового материала первого типа проводимости (боковой слой), причем от материала второго типа проводимости вышеуказанный слой первого типа проводимости отделен замкнутой разделительной канавкой, пересекающей базовый р-n переход. Канавка выполнена со стороны противолежащей плоскости основания. Изобретение позволяет разместить анодную и катодную группы элементов на общее изолирующее основание, на котором в виде металлических полос выполнены контакты к общим точкам анодной и катодной группы. Верхние контакты объединены попарно от одного катодного и одного анодного элементов. В качестве выпрямительных элементов могут быть использованы диоды, тиристоры, симисторы, оптотиристоры или оптосимисторы. В случае диодов наружная поверхность канавки расположена на границе бокового, например, дырочного слоя и исходного материала. Канавка может быть смещена от периферии. Диодные элементы могут монтироваться в виде отдельных элементов, в виде двух монокристаллических блоков для анодной и катодной групп, изолированных воздушным промежутков, или в виде интегральной схемы. В последнем случае анодная и катодная группы выполнены в одном кристалле с общим боковым слоем p-типа, причем кристалл выполнен с двумя продольными разделительными канавками, наружные части которых расположены на границе общего бокового слоя р-типа и исходного материала. Кроме того, боковой слой p-типа может быть выполнен с центральным изолирующим слоем n-типа, а кристалл выполнен с верхней и нижней продольными разделительными канавками, дно которых расположено в центральном изолирующем слое n-типа. В качестве управляемого полупроводникового выпрямительного элемента может быть использован тиристор, управляемый со стороны анода или тиристор, управляемый со стороны катода. 32 з.п. ф-лы, 41 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента