На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ | |
Номер публикации патента: 94015870 | |
Вид документа: | A1 | Страна публикации: | RU | Рег. номер заявки: | 94015870 |
|
|
|
Имя заявителя: | Научно-исследовательский центр электронной вычислительной техники | Изобретатели: | Файзулаев Б.Н. Микитин В.М |
Реферат | |
Изобретение относится к радиоэлектронной и цифровой электронно-вычислительной технике, в частности к микроэлектронному конструированию и может быть использовано при проектировании многокристальных модулей на основе полупроводниковых подложек. Цель: увеличение быстродействия, степени интеграции, надежности и расширение температурного диапазона работы многокристаллического модуля. Многокристальный модуль содержит подложку, выполненную из полупроводникового материала, например, кремния, на поверхности которой установлены внутрение и внешние контактные площадки, соединенные между собой посредством металлизированных проводников, расположенных на соответствующих слоях металлизации, установлены кристаллы микросхем, выводы которых соединены с соответствующими внутренними контактными площадками, основание, крышку и внешние выводы. Новым является выполнение полупроводниковой подложки и основания как единого целого, введение полупроводниковых структур в подложку, модуля, установка крышки модуля непосредственно на подложку подсоединение внешних выводов модуля непосредственно к внешним контактным площадкам подложки, расположенные с внешней стороны крышки, установка на подложку при необходимости укрепляющей пластины и радиатора охлаждения, применение полимерных клеевых материалов при сборке модуля, применение конструкционных материалов с согласованными температурными коэффициентами теплового линейного расширения, что существенно упрощает конструкцию модуля и технологию его изготовления, значительно увеличивает быстродействие и степень интеграции, повышает герметичность, надежность и ремонтопригодность модуля, расширяет температурный диапазон работы модуля вплоть до сверхнизких температур.
|