На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД | |
Номер публикации патента: 858490 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L023/52 | Аналоги изобретения: | Горбачев Л.И. и Кухарин С.В. Полупроводниковые СВЧ диоды. Сов. радио, 1968, с.16. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств. Под ред. Дулина В.Н. и Жука М.С. М.: Энергия, 1977, с.103. |
Имя заявителя: | Запорожский индустриальный институт | Изобретатели: | Костенко В.Л. Расторгуев К.П |
Реферат | |
1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площадки, S-образный вывод жестко соединен с биметаллической пластиной, закрепленной на торцах. 2. Полупроводниковый диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования чувствительности к тепловому воздействию, биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.
|