US 4764804 А, 16.08.1988. US 6337513 B1, 08.01.2002. US 6278181 B1, 21.08.2001. US 5532512 A, 02.07.1996. US 2007/205502 A1, 06.09.2007. US 6720662 B1, 13.04.2004. US 5825080 A, 20.10.1998. RU 2299497 C2, 20.05.2007.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
КАСКУН Кеннет (US) ГУ Шицюнь (US) НОВАК Мэттью М. (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
05.05.2008 US 12/115,076
Реферат
Изобретение относится к многослойным интегральным схемам, в которых обеспечено рассеивание тепла от проблемных тепловых областей. Сущность изобретения: трехмерное устройство интегральной схемы содержит первый кристалл, уложенный с образованием слоистой структуры на второй кристалл, причем каждый из кристаллов имеет сконструированные в нем элементы, и кристаллы соединены друг с другом множеством межслоевых соединений, которые создают промежуток между первым и вторым кристаллами. Устройство также содержит сквозное отверстие через подложку, заполненное первым проводящим тепло материалом, расположенное в первом кристалле. Второй кристалл содержит проводящий тепло слой, при этом проводящий тепло слой обеспечивает физическое межсоединение между вторым кристаллом и сквозным отверстием через подложку, расположенным в первом кристалле. Техническим результатом изобретения является усовершенствование отвода тепла от проблемных областей трехмерного устройства интегральной схемы. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента