Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2458431

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010137970/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L023/12   H01L025/07    
Аналоги изобретения: JP 10-056131 А, 24.02.1998. JP 2004-327718 А, 18.11.2004. JP 2007-189171 А, 26.07.2007. JP 2003-17658 А, 17.01.2003. WO 98/43301 А1, 01.10.1998. RU 2222074 С1, 20.01.2004. 

Имя заявителя: МИЦУБИСИ ХЭВИ ИНДАСТРИЗ, ЛТД. (JP) 
Изобретатели: УЕНО Даиси (JP)
ВАДА Таро (JP)
ФУНАЯМА Масахиро (JP)
КУРОДА Йосикацу (JP)
КОНДО Юити (JP)
КОБАЯСИ Синити (JP)
НАКАНО Кодзи (JP)
ФУДЗИВАРА Кендзи (JP)
ТАКЕСИТА Теруо (JP) 
Патентообладатели: МИЦУБИСИ ХЭВИ ИНДАСТРИЗ, ЛТД. (JP) 

Реферат


Изобретение относится к модулю полупроводникового элемента и способу его изготовления. Технический результат изобретения состоит в том, чтобы предоставлять модуль полупроводникового элемента, имеющий высокую надежность, электрическое соединение и термическое соединение и допускающий обеспечение достаточной эффективности охлаждения, а также предоставлять способ для его изготовления. Сущность изобретения: в модуле полупроводникового элемента, по меньшей мере, один полупроводниковый элемент размещается между первой изолирующей подложкой, имеющей высокую удельную теплопроводность, и второй изолирующей подложкой, имеющей высокую удельную теплопроводность, и внешняя периферийная часть между первой изолирующей подложкой и второй изолирующей подложкой герметизируется с помощью герметизирующего элемента, при этом полупроводниковый элемент монтируется на первой изолирующей подложке и второй изолирующей подложке посредством связывания первой изолирующей подложки с помощью герметизирующего элемента при помощи связывания при комнатной температуре, чтобы тем самым связывать первую поверхность межсоединений с первыми сквозными межсоединениями, и связывания поверхностей электродов полупроводникового элемента с первой поверхностью межсоединений и второй поверхностью межсоединений при помощи связывания при комнатной температуре. 6 н. и 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"