На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ | |
Номер публикации патента: 2314596 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L023/12 | Аналоги изобретения: | US 6201696 B1, 13.03.2001. US 5398160 A, 14.03.1995. EP 1107310 A2, 13.06.2001. EP 0789397 A2, 13.08.1997. RU 2091906 C1, 27.09.1997. |
Имя заявителя: | АББ РИСЕРЧ ЛТД (CH) | Изобретатели: | КНАПП Вольфганг (CH) | Патентообладатели: | АББ РИСЕРЧ ЛТД (CH) |
Реферат | |
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. Сущность изобретения: полупроводниковый модуль содержит базовый элемент, изоляционный элемент с двухсторонним металлизированным покрытием, расположенный с помощью первого из обоих металлизированных покрытий на базовом элементе, и по меньшей мере один полупроводниковый элемент, расположенный на другом из обоих металлизированных покрытий.
|