На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
КОРПУС ДЛЯ МОЩНОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2273915 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L023/055 | Аналоги изобретения: | SU 758972 A1, 10.01.1997. RU 1928 U1, 16.03.1996. SU 971046 A, 23.05.1983. WO 03/034486 A2, 24.04.2003. US 5315486 A, 24.05.1994. |
Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) | Изобретатели: | Балыко Александр Карпович (RU) Климова Анна Владимировна (RU) Королев Александр Николаевич (RU) Мальцев Валентин Алексеевич (RU) Молдованов Юрий Исаевич (RU) Морозов Виктор Степанович (RU) Мальцева Наталья Ивановна (RU) | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) |
Реферат |  |
Использование: в электронной технике при конструировании корпусов для мощных транзисторов. Техническим результатом изобретения является увеличение максимально допустимой мощности транзистора, повышение надежности, упрощение процесса изготовления корпуса, снижение стоимости транзистора. Сущность изобретения: основание корпуса мощного транзистора выполнено из высокотеплопроводящей керамики - нитрида алюминия, сквозные отверстия в основании выполнены на расстоянии между осями не менее 3 мм друг от д
|