|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ВОЗДУШНЫХ ЗАЗОРОВ ВНУТРИ СТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2204181 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/764 H01L023/522 | | Аналоги изобретения: | US 5461003 А, 24.10.1995. US 5324683 А, 28.06.1994. IBM Technical Disclosure Bulletin, v. 38, №9, September 1995, p. 137-140. ЕР 0445755 А2, 11.09.1991. RU 2099813 C1, 20.12.1997. |
| Имя заявителя: | ДЖОРДЖИЭ ТЕК РИСЕЧ КОПЭРЕЙШН (US) | | Изобретатели: | АЛЛЕН Сью Энн Бидструп (US)
КОЛ Пол Э. (US)
ЧЖАО Кианг (US) | | Патентообладатели: | ДЖОРДЖИЭ ТЕК РИСЕЧ КОПЭРЕЙШН (US) |
Реферат | |
Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования воздушных зазоров в полупроводниковых структурах предусматривает заполнение замкнутого внутреннего объема структуры удаляемым материалом, разложение удаляемого материала на газообразные продукты распада и удаление их путем диффузии через твердый слой, прилегающий к внутреннему объему.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента