|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2105384 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L023/34 | | Аналоги изобретения: | 1. Письма в ЖТФ. - 1991, т.17, вып.13, с.54. 2. Письма в ЖТФ. - 1991, т.17, вып.11, с.37. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Емельянов А.В.
Портнов С.М.
Рябоконь В.Н.
Самсонов Н.С. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Использование: технология получения наноструктур на основе соединений A2B6, предназначенных, в частности, для изготовления фоточувствительных наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур на основе соединений A26, включающем внедрение в пористую диэлектрическую подложку частиц нанометрового размера указанного соединения, сначала производят очистку до атомарного уровня внешних и внутренних поверхностей подложки, а затем на ней методом молекулярного наслаивания формируют переходный слой из атомов соединения A2B6 со стехиометрией, обеспечивающей объемно-структурное соответствие кристаллических решеток на границе раздела, после чего на поверхности переходного слоя выращивают слой из соединения A2B6 с объемом вещества в каждой поре не менее объема двух элементарных ячеек в кристаллической решетке соединения, а затем производят пассивацию внешней поверхности подложки.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента