|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ - ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2079931 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L023/02 H01L023/12 H01L023/34 H05K005/06 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент ГДР N 240029, кл. H 01 L 29/76, 1986. 2. Авторское свидетельство СССР N 1393259, кл. H 01 L 23/56, 1986. 3. Патент Японии N 150448, кл. H 01 L 28/02, 1989. |
| Имя заявителя: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.
Мякиньков В.Ю. | | Патентообладатели: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" |
Реферат | |
Область использования изобретения: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения заключается в том, что в корпусе для интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащей металлическое основание 5 корпуса, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину 1 с микрополосковыми линиями 2 на ее противоположной стороне по периферии, которые электрически соединены с внешними выводами 4 посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине 1, интегральную схему СВЧ-диапазона 4, размещенную на диэлектрической пластине 1 и электрически соединенную с ее микрополосковыми линиями 2, и крышку 6 корпуса, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной 1, в центре диэлектрической пластины 1 выполнено отверстие 2, диаметр поперечного сечения сквозных металлических проводников 3 диэлектрической пластины 1 составляет 0,1 - 1,0 от ширины микрополосковой линии 2 диэлектрической пластины 1, металлическое основание 5 корпуса расположено в одной плоскости с внешними выводами, выполнено толщиной 0,03 - 1,5 мм с возможностью перекрытия отверстия 7 диэлектрической платины 1, величина которого составляет 0,1 - 1,5 мм, и герметично соединено с диэлектрической пластиной 1, причем интегральная схема СВЧ-диапазона размещена в отверстии 7 диэлектрической пластины 1 с зазором между ней и стенками отверстия, величина которого составляет не более 250 мкм, заподлицо с поверхностью диэлектрической пластины 1 с микрополосковыми линиями 2 с возможностью теплового контакта с основанием 5 корпуса. 6 з.п. ф., 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента