|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 965239 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | SU | | Рег. номер заявки: | 3268226 |
|
|
|
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/306 | | Аналоги изобретения: | 1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1974. 2.Технический отчет 033-540, 1978. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Диковский В.И.
Больших С.Ф.
Каусова А. |
Реферат | |
Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 - 973К течение 10 - 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 - 10 лк.
|
Поиск патентов