На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 95111200 | ![](Images/empty.gif) |
Вид документа: | A1 | Страна публикации: | RU | Рег. номер заявки: | 95111200 |
|
|
|
Имя заявителя: | Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" | Изобретатели: | Малышев М.М. Малинин В.Г. Рожин Е. |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Способ относится к области электронной и космической техники. Способ позволяет испытывать биполярные полупроводниковые приборы на тойкость к комплексному воздействию протонного и электронного излучения космического пространства и получать достоверные результаты. В качестве моделирующих излучений предусматриваются излучения с малыми плотностями потоков, а именно реакторное излучение и излучение радионуклеидного источника. Сочетание этих источников позволяет при выполнении соотношений ![](/cgi-bin/gettiff.dll?f=00000001&npubl=95111200) где N(ТД)КП, N(ОР)КП - плотности первично выбитых атомов в единицу времени, образующихся в кристалле изделия при комплексном воздействии на него протонно-неитронного излучения космического пространства и создающих в нем соответственно точечные дефекты и области разупорядочения, атом/см3·c, N(ТД)мод, N(ОР)мод - плотности первично выбитых атомов в единицу времени, образующихся в кристалле изделия при воздействии на него моделирующих излучений и создающих в нем соответственно точечные дефекты и области разупорядочения, и времени облучения ![](/cgi-bin/gettiff.dll?f=00000002&npubl=95111200) где tкп - время пребывания приборов в космическом пространстве, tмод - время облучения приборов моделирующими излучениями. Создать в кристалле прибора дефекты максимально приближающиеся по количеству и по качеству к дефектам, возникающим в кристаллах приборов при излучениях космического пространства.
|