На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 95103452

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95103452

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля параметров полупроводников, для научных исследований, а также для определения качества материалов, применяемых в полупроводниковом приборостроении. Предлагается неразрушающий СВЧ способ измерения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках, в котором формируют неразрушающие контакты к структуре: со стороны полуизолирующей подложки - жидкий, прозрачный для СВЧ излучения, например контактированием со слоем этилового спирта, а со стороны поверхности проводящего слоя - прижимной, например точечный металлический. Через данные контакты к n-i переходу пленка-полуизолирующая подложка (буферный слой) прикладывают обратное постоянное смещение V_подл, которое изменяет ширину области обеденения n-i перехода, и модулируют толщину n-i перехода, прикладывая через эти контакты переменное смещение V~@п_одл.,, модулируя тем самым проводимость слоя на краю области обеднения n-i перехода, причем сумма V_подл.+V~@п_одл. не превосходит напряжения пробоя n-i перехода. Из измеряемой отраженной СВЧ мощности выделяют переменную составляющую, из магнитополевой зависимости которой определяют подвижность, как функцию обратного смещен я приложенного к n-i переходу, по формуле, приведенной в описании. Предлагается также устройство для реализации этого способа. Предложенное изобретение позволяет увеличить точность неразрушающего способа определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках и расширить функциональные возможности способа и устройства, за счет измерения подвижности и профиля подвижности (зависимости подвижности от величины обратного смещения) во внутренних слоях полупроводниковых структур, в том числе в структурах с высокопроводящим контактным n+ слоем. Неразрушающий анализ профиля подвижности вблизи границы раздела активный слой-буферный слой и подвижности внутренних слоев многослойных полупроводниковых структур позволяет как оптимизировать технологию выращивания таких структур, так и осуществлять неразрушающий входной контроль на предмет годности структур для изготовления из них в дальнейшем полупроводниковых приборов.

Вернуться к списку