На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОЙ МАСКИ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ | |
Номер публикации патента: 95103451 | |
Вид документа: | A1 | Страна публикации: | RU | Рег. номер заявки: | 95103451 |
|
|
|
Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | Изобретатели: | Принц В.Я. Селезнев В.А. Принц А. |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления защитной маски, необходимой для производства твердотельных приборов с характерными нанометровыми размерами элементов. Предлагается способ изготовления защитной маски для нанолитографии, в котором под защитным слоем формируют вспомогательный слой из материала, который возможно селективно вытравить без нарушений защитного слой и технологической структуры, алокальные области защитного слоя, в которых необходимо создать окна (рисунки), отделяют от подложки путем селективного вытравливания вспомогательного слоя, затем в этих областях защитного слоя создают и концентрируют механические напряжения, приводящие к контролируемому трещинообразованию только в защитном слое и созданию необходимых окон (рисунка) в нем. Селективное вытравливание вспомогательного слоя осуществляется через предварительно изготовленное отверстие, расположенное в заданной локальной области основного слоя. Защитный и вспомогательный слои выращивают в едином технологическом процессе при выращивании твердотельной структуры.
|