|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 94035817 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94035817 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Емельянов А.В.
Портнов С.М.
Рябоконь В.Н.
Самсонов Н |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения наноструктур на основе соединений А2 В6, предназначенных в частности для изготовления фоточувствительных наноэлектронных устройств. Цель изобретения состоит в повышении стабильности свойств получаемых наноструктур, а также квантового выхода фотолюминесценции. Это обеспечивается благодаря тому, что в способе получения наноструктур на основе соединений А2В6, включающем внедрение в пористую диэлектрическую подложку частиц нанометрового размера указанного соединения, сначала производят очистку до атомарного уровня внешних и внутренних поверхностей подложки, а затем на ней методом молекулярного наслаивания формируют переходный слой из атомов соединения А2В6 со стехиометрией, обеспечивающей объемно-структурное соответствие кристаллических решеток на границе раздела, после чего на поверхности переходного слоя выращивают слой из соединения А2В6 с объемом вещества в каждой поре не менее объема двух элементарных ячеек в кристаллической решетке соединения, а затем производят пассивацию внешней поверхности подложки.
|
Поиск патентов