На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Номер публикации патента: 822705

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  2866149		Получить полное описание патента

Реферат

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.

2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем, нанесенным на одну из поверхностей пластины, металлический электрод на внешней поверхности диэлектрического слоя, металлический контакт к пластине, отличающееся тем, что на другую сторону пластины нанесен второй слой диэлектрика, на внешней поверхности которого нанесены два металлических электрода, образующих пространственно периодическую встречно штыревую структуру.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что каждый диэлектрический слой выполнен из двух диэлектриков.

4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что в качестве диэлектриков используются слюда и слой двуокиси кремния изготовленный на полупроводниковой пластине.

Вернуться к списку