GB 2462108 А, 27.01.2010. RU 2406689 С2, 20.12.2010. RU 2156518 С1, 20.09.2000. Гольцман Б.М. и др. Влияние малоугловых границ на диэлектрические свойства эпитаксиальных пленок BaSrTiO. Физика твердого тела, 2001, т. 43, вып.5, с.874-879. JP 52140896 А, 24.11.1977. KR 20050039023 А, 29.04.2005.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена" (RU)
Изобретатели:
Грабов Владимир Минович (RU) Демидов Евгений Владимирович (RU) Комаров Владимир Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена" (RU)
Реферат
Использование: в физике конденсированного состояния, материаловедении, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов с мелкоблочной структурой и совершенной внутренней структурой блоков. Сущность изобретения заключается в том, что для получения мелкоблочных пленок различных веществ, например висмута, с совершенной структурой блоков используется система нанокластеров данного материала. Способ получения состоит из двух этапов. Первый этап заключается в получении системы нанокластеров. Данные объекты получаются напылением исходного материала, например висмута, в вакууме при температуре подложки несколько ниже температуры его плавления в массивном состоянии, но выше температуры плавления зародышей напыляемого материала критического размера. Далее на полученную систему нанокластеров при температуре подложки, соответствующей росту по механизму «пар-кристалл», производится напыление висмута для формирования сплошного слоя. Техническим результатом изобретения является получение мелкоблочных тонкопленочных образцов с совершенной внутренней структурой блоков.
Поиск патентов
Получить полное описание патента