Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2473147

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011128233/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/203    
Аналоги изобретения: RU 2411304 C1, 10.02.2011. RU 43959 U1, 10.02.2005. SU 1033993 А, 07.08.1983. JP 6158287 А, 07.06.1994. JP 2006144088 А, 08.06.2006. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU) 
Изобретатели: Шенгуров Владимир Геннадьевич (RU)
Светлов Сергей Петрович (RU)
Чалков Вадим Юрьевич (RU)
Денисов Сергей Александрович (RU)
Шенгуров Дмитрий Владимирович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала. Техническим результатом изобретения является повышение стабилизации скорости испарения, воспроизводимости слоев напыляемого материала по толщине и повышение качества изготовляемых структур. Сущность изобретения: установка вакуумного напыления содержит подключенный к блоку питания резистивный источник испаряемого материала, обращенный первой стороной к подложке, на которой формируют полупроводниковую структуру, а второй - к приемнику заряженных частиц, подключенному к отрицательной клемме источника ускоряющего напряжения, к положительной клемме которого подключено сопротивление. Приемник заряженных частиц может быть выполнен в виде пластины из тугоплавкого металла. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"