Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, при этом в первом слое, по существу, не содержится индий; второй слой, выращенный над первым слоем, при этом второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий слой, выращенный над вторым слоем и в непосредственном контакте со вторым слоем, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные поверх шаблона, слои устройства, содержащие III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. Также предложен еще один вариант способа изготовления светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения в светоизлучающем устройстве, что может улучшить рабочие характеристики устройства. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 19 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента