K.L.Tsai et al, Influence of oxygen on the performance of GaAs / AlGaAs quantum well infrared photodetectors, Journal of Applied Physics 76 (1), 1 July 1994, p.274-277. D.K.Sengupta et al, Growth and Characterization of n-Type GaAs / AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector on GaAs-on-Si Substrate, Journal of Electronic Materials, Vol.27, No.7,1998, p.858-859. US 6559471 B2, 06.05.2003. US 7399988 B2, 15.07.2008. RU 2065644 C1, 20.08.1996. RU 2089656 C1, 10.09.1997.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU)
Изобретатели:
Красовицкий Дмитрий Михайлович (RU) Чалый Виктор Петрович (RU) Кацавец Николай Иванович (RU) Дудин Анатолий Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Сущность изобретения: в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Аl в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700-750°С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2-5)×1017 см-3. Изобретение обеспечивает снижение количества кристаллических дефектов и повышение тем самым чувствительности (отношение сигнал/шум) и обнаружительной способности (минимальное значение детектируемого сигнала фотодетектора). 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента