US 6102273 A, 15.08.2000. RU 2194337 C1, 10.12.2002. SU 1767584 A1, 07.10.1992. SU 488271 A, 26.07.1976. US 7896051 B2, 01.03.2011. JP 6029331 A, 04.02.1994. JP 4130636 A, 01.05.1992.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Лебедева Ольга Васильевна (RU) Литвиненко Николай Петрович (RU) Бейль Владимир Ильич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: устройство для монтажа кристалла содержит инструмент для захвата кристалла с выемкой под его размеры и отверстием для вакуума, нагреваемый столик, на котором размещают подложку, инструмент с вакуумной присоской для захвата заготовки припоя, механизм подачи газа и обдува кристалла в зоне пайки. В нагреваемом столике выполнены отверстия - одно для крепления подложки и два для подачи подогретого защитного газа в зону пайки. На столике установлен и закреплен металлический корпус так, что отверстия для подачи подогретого защитного газа расположены внутри вблизи его задней стенки, основанием корпуса служит нагреваемый столик. В крышке корпуса над отверстием для крепления подложки и в передней стенке выполнена выемка для выхода газа, установки подложки и опускания инструмента с захваченной заготовкой припоя или инструмента с захваченным кристаллом. Внутри корпуса между задней стенкой и выемкой расположен рассекатель потока газа, закрепленный винтом через прямоугольный сквозной паз, выполненный в крышке. В передней стенке выполнен сквозной паз шириной, большей, чем ширина выемки, высотой, по крайней мере, в два раза меньшей высоты стенки и глубиной до выемки, в пазе размещен подвижный вкладыш. При этом подложка занимает не более одной трети внутреннего объема корпуса. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и повышение качества монтажа за счет обеспечения постоянной защитной среды в зоне нагрева и за счет повышения точности совмещения кристалла и подложки. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента