RU 2361319 C1, 10.07.2009. RU 2227344 C1, 20.04.2004. JP 57193070 A, 27.11.1982. JP 06260508 A, 16.09.1994. EP 0181091 A2, 14.05.1986.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Лапин Владимир Григорьевич (RU) Петров Константин Игнатьевич (RU) Кувшинова Наталья Александровна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки включает изготовление на лицевой поверхности полуизолирующей подложки с активным слоем, по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока с каналом между ними, канавки в канале под электрод затвора, электрода затвора типа барьер Шотки, асимметрично расположенного в сторону электрода истока. Перед изготовлением канавки под электрод затвора на активный слой полуизолирующей подложки наносят дополнительный диэлектрический слой толщиной 0,1-0,5 мкм, локализуют дополнительный диэлектрический слой в виде ступеньки посредством процессов электронно-либо фотолитографии и последующего плазмохимического травления, а при изготовлении электрода затвора электронно- либо фоторезистивную маску формируют с длиной окна 0,5-0,9 мкм, толщиной 0,7-1,2 мкм и со сдвигом 0,3-0,6 мкм по поверхности дополнительного диэлектрического слоя относительно торца его ступеньки, обеспечивающим зазор между упомянутым торцом и верхним краем маски со стороны электрода стока, а угол при напылении металла или системы металлов, образующих барьер Шотки в области затвора, представляет собой угол между лицевой поверхностью полуизолирующей подложки и вектором потока, напыляемого металла или системы металлов величиной, равной (70-90)°, при этом длину электрода затвора задают из заявленных условий. Изобретение обеспечивает повышение выходной мощности, коэффициента усиления по мощности, коэффициента полезного действия транзистора при сохранении его надежности и расширении функциональных возможностей. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента